Những nền tảng này được thiết kế nhằm nâng cao khả năng tiêu thụ công suất đến mức thấp nhất và tăng hiệu suất cho các thiết bị đeo có kết nối của thế hệ tiếp theo bằng cách tập trung kéo dài thời lượng pin, nâng cấp trải nghiệm người dùng và tạo nên những thiết kế cải tiến mang kiểu dáng đẹp mắt.

Bằng cách sử dụng những nền tảng này, các nhà sản xuất có thể mở rộng quy mô, tạo nên sự khác biệt và phát triển sản phẩm nhanh hơn trong ngành công nghiệp thiết bị đeo đang không ngừng phát triển và phân đoạn.

Những cải tiến mới cho nền tảng Snapdragon W5+ mang lại khả năng tiêu thụ công suất thấp hơn 50%, với hiệu suất cao hơn gấp 2 lần, tính năng phong phú hơn gấp 2 lần và kích thước nhỏ hơn 30% so với thế hệ trước, cho phép các nhà sản xuất thiết bị đeo cung cấp trải nghiệm khác biệt mà người tiêu dùng mong muốn.

Dựa trên cấu trúc tích hợp, nền tảng chuyên dụng này bao gồm một hệ thống chip dựa trên công nghệ 4nm và bộ đồng xử lý 22nm luôn hoạt động và được tích hợp cao. Nó kết hợp một loạt những nền tảng cải tiến bao gồm cấu trúc Bluetooth 5.3 tiêu thụ công suất cực thấp mới, pin tách biệt với công suất thấp cho Wi-Fi, GNSS, âm thanh, và các trạng thái năng lượng thấp như ngủ sâu (Deep Sleep) và ngủ đông (Hibernate).

Ông Pankaj Kedia, đại diện toàn cầu của Smart Wearables kiêm Giám đốc Tiếp thị sản phẩm của Qualcomm Technologies cho biết, ngành công nghiệp thiết bị đeo tiếp tục phát triển và mang đến nhiều cơ hội cho nhiều phân khúc với tốc độ chưa từng có.

Các nền tảng thiết bị đeo mới - Snapdragon W5+ và Snapdragon W5 - giải quyết nhu cầu cấp bách nhất của người dùng thông qua việc mang lại khả năng tiêu thụ công suất cực thấp, tạo nên hiệu suất đột phá và bao bì tích hợp cao.

Ngoài ra, Qualcomm mở rộng cấu trúc tích hợp đã được kiểm chứng với những cải tiến mới về trạng thái pin thấp như chế độ ngủ sâu (Deep Sleep) và ngủ đông (Hibernate), từ đó làm hài lòng người tiêu dùng với trải nghiệm cao cấp đồng thời kéo dài thời lượng pin.