Điểm tin

SK hynix áp dụng EUV để sản xuất DRAM di động

| Theo ZDNet

SK hynix vừa cho biết đã bắt đầu sản xuất DRAM di động 8 GB LPPDR4 10 nm trong tháng này thông qua việc áp dụng quy trình sản xuất tia cực tím (EUV).

Theo ZDNet, chip mới nhất đánh dấu lần đầu tiên SK hynix áp dụng EUV trong sản xuất DRAM. Samsung đã bắt đầu áp dụng quy trình tiên tiến trong sản xuất bộ nhớ vào năm ngoái, trong khi Micron cho biết họ có kế hoạch áp dụng EUV vào năm 2024.

Thiết bị EUV được sử dụng trong quá trình in thạch bản khi sản xuất chip, nơi các mẫu mạch được chuyển lên tấm wafer. Bằng cách sử dụng EUV, các công ty có thể chuyển các mẫu chính xác hơn, giúp các chip được thiết kế nhỏ và đặt nhiều hơn trên các tấm wafer.

Bên cạnh bộ nhớ RAM, quy trình sản xuất EUV hiện được TSMC và Samsung áp dụng rộng rãi cho các sản phẩm vi xử lý tiên tiến của họ. SK hynix cho biết việc áp dụng EUV đã cho phép công ty đảm bảo cung cấp lượng DRAM trong một tấm wafer cao hơn 25% so với tiền nhiệm của nó. Công ty cũng cho biết DRAM mới nhất của họ có thể sẽ giúp giảm bớt các điều kiện cung và cầu hiện có trên thị trường toàn cầu.

SK hynix cho biết thêm các sản phẩm DRAM mới với quy trình 10 nm mới nhất của hãng sẽ được sản xuất bằng EUV trong tương lai.

Về thông số kỹ thuật, DRAM di động LPDDR4 mới của SK hynix chạy ở tốc độ 4.266 Mbps và tiêu thụ điện năng ít hơn 20% so với tiền nhiệm của nó. Chip này sẽ được cung cấp cho các nhà sản xuất smartphone vào nửa cuối năm nay. Công ty cũng sẽ bắt đầu áp dụng quy trình 10 nm mới nhất vào sản xuất DDR5 kể từ năm 2022.

Từ khóa : SK Hynix, SK hynix DRAM,